原子沉積系統(tǒng)的原子層沉積技術由于其沉積參數的高度可控型(厚度、成份和結構)
 

　　原子沉積系統(tǒng)，一開始稱為原子層外延(Atomic Layer Epitaxy，ALE)，也稱為原子層化學氣相沉積(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD)。原子層沉積是在一個加熱反應器中的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅體物種，化學吸附的過程直至表面飽和時就自動終止，適當的過程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。
 

　　可以沉積的材料包括:氧化物，氮化物，氟化物，金屬，碳化物，復合結構，硫化物，納米薄層等。
 

　　半導體領域：
 

　　晶體管柵極電介質層(高k材料)，光電元件的涂層，晶體管中的擴散勢壘層和互聯(lián)勢壘層(阻止摻雜劑的遷移)，有機發(fā)光顯示器的反濕涂層和薄膜電致發(fā)光(TFEL)元件，集成電路中的互連種子層，DRAM和MRAM中的電介質層，集成電路中嵌入電容器的電介質層，電磁記錄頭的涂層，集成電路中金屬-絕緣層-金屬(MIM)電容器涂層。
 

　　納米技術領域：
 

　　中空納米管，隧道勢壘層，光電電池性能的提高，納米孔道尺寸的控制，高高寬比納米圖形，微機電系統(tǒng)(MEMS)的反靜態(tài)阻力涂層和疏水涂層的種子層，納米晶體，ZnSe涂層，納米結構，中空納米碗，存儲硅量子點涂層，納米顆粒的涂層，納米孔內部的涂層，納米線的涂層。